選擇可控硅模塊時(shí)不能只看表面，應(yīng)參考實(shí)際工作條件來(lái)選擇，選用可控硅模塊的額定電流時(shí)，除了考慮通過(guò)元件的平均電流外，廣西小功率可控硅模塊，還應(yīng)注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過(guò)相應(yīng)電流下的允許值。

1.可控硅模塊的冷卻及環(huán)境條件:

(1)強(qiáng)迫風(fēng)冷：風(fēng)速≥6m/s，廣西小功率可控硅模塊，風(fēng)溫≤40℃；

(2)水冷：流量≥4L/mm，廣西小功率可控硅模塊，壓強(qiáng)0.2±0.03Mpa。水溫≤35℃. 水電阻率≥20KΩ.cm，HP值6一8；

(3)自冷和負(fù)冷環(huán)境溫度一40℃一40℃.水冷以環(huán)境溫度5℃一40℃；

(4)空氣相對(duì)濕度≤85%；

(5)空氣中無(wú)性氣體和破壞絕緣的塵埃；

(6)氣壓86一106Kpa；

(7)無(wú)劇烈震動(dòng)或沖擊；

(8)若有特殊場(chǎng)合，應(yīng)進(jìn)行相應(yīng)的試驗(yàn)，證明工作可靠方可使用。

可控硅模塊規(guī)格的選擇方法：考慮到可控硅產(chǎn)品一般為非正弦電流，存在導(dǎo)通角問(wèn)題，負(fù)載電流存在一些波動(dòng)和不穩(wěn)定因素，晶閘管芯片抗電流沖擊能力差，在選擇模塊電流規(guī)格時(shí)必須留出一定的裕度。

選擇方法可按照以下公式計(jì)算：I＞K×I負(fù)載×U∕U實(shí)際

K ：安全系數(shù)，阻性負(fù)載K= 1.5，感性負(fù)載K= 2；

I負(fù)載：負(fù)載流過(guò)的強(qiáng)大電流； U實(shí)際：負(fù)載上的小電壓；

U強(qiáng)大 模塊能輸出的強(qiáng)大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規(guī)格均為1.0倍）；

I：需要選擇模塊的小電流,模塊標(biāo)稱的電流必須大于該值。

可控硅模塊選購(gòu)注意事項(xiàng):

(1)注明您需要的產(chǎn)品的型號(hào)、結(jié)構(gòu)（螺栓、凹臺(tái)、凸臺(tái)）、配置散熱器型號(hào)。

(2)注明您關(guān)注的參數(shù)要求。

(3)選擇電流電壓時(shí)要留有適當(dāng)?shù)挠嗔浚?

可控硅模塊使用注意事項(xiàng)：

(1)線路中須有過(guò)壓過(guò)流保護(hù)措施，串并聯(lián)使用時(shí)必須有均流措施。

(2)用萬(wàn)用表簡(jiǎn)單判斷器件是否損壞： 門陰間電阻，應(yīng)有十幾或幾十Ω，否則門已短路或開路。陰陽(yáng)間電阻，應(yīng)大于1MΩ，（整流管正向除外），電阻小于1MΩ表明器件間絕緣性能不良，電阻近零時(shí)表明器件已擊穿。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時(shí)，應(yīng)立即更換。

(3)嚴(yán)禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。

(4)電流為5A以上的可控硅模塊要裝散熱器，并且所規(guī)定的冷卻條件。為散熱器與可控硅模塊管心接觸良好，它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂，以幫于良好的散熱。

(5)按規(guī)定對(duì)主電路中的可控硅模塊采用過(guò)壓及過(guò)流保護(hù)裝置。

(6)要防止可控硅模塊控制的正向過(guò)載和反向擊穿。