雙向可控硅的檢測(cè)

用萬(wàn)用表電阻R×1檔，用紅黑兩表筆分別測(cè)任意兩引腳正反向電阻，結(jié)果其中兩組讀數(shù)為無(wú)窮大。若一組為數(shù)十歐姆時(shí)，該組紅黑表筆所接的兩引腳為陽(yáng)A1和控制G，另一空腳即為第二陽(yáng)A2。確定A、G后，再仔細(xì)測(cè)量A1、G間正反向電阻，讀數(shù)相對(duì)較小的那次測(cè)量的黑表筆所接的引腳為陽(yáng)A1，紅表筆所接引腳為控制G。將黑表筆接已確定了的第二陽(yáng)A2，紅表筆接陽(yáng)A1，此時(shí)萬(wàn)用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無(wú)窮大。再用短接線(xiàn)將A2、G瞬間短接，給G加上正向觸發(fā)電壓，A2、A1間阻值約為10歐姆左右。隨后斷開(kāi)A2、G短接線(xiàn)，萬(wàn)用表讀數(shù)應(yīng)保持10歐姆左右�；�換紅黑表筆接線(xiàn)，紅表筆接第二陽(yáng)A2，黑表筆接陽(yáng)A1。同樣萬(wàn)用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無(wú)窮大。用短接線(xiàn)將A2、G間再次瞬間短接，給G加上負(fù)向的觸發(fā)電壓，A1、A2間阻值也是10歐姆左右。隨后斷開(kāi)A2、G間短接線(xiàn)，煙臺(tái)快恢復(fù)可控硅模塊，萬(wàn)用表讀數(shù)應(yīng)不變，保持10歐姆左右，煙臺(tái)快恢復(fù)可控硅模塊。符合以上規(guī)律，說(shuō)明被測(cè)雙向可控硅管未損壞且三個(gè)引腳性判斷正確。

檢測(cè)較大功率可控硅管是地，需要在萬(wàn)用表黑筆中串接一節(jié)1，煙臺(tái)快恢復(fù)可控硅模塊.5V干電池，以提高觸發(fā)電壓。

一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創(chuàng)制于1957年，由于它特性類(lèi)似于真空閘流管，所以上通稱(chēng)為硅晶體閘流管，簡(jiǎn)稱(chēng)晶閘管T。又由于晶閘管開(kāi)始應(yīng)用于可控整流方面所以又稱(chēng)為硅可控整流元件，簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅SCR。

在性能上，可控硅不具有單向?qū)щ娦�，而且還具有比硅整流元件(俗稱(chēng)“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。

可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過(guò)此頻率，因元件開(kāi)關(guān)損耗明顯增加，允許通過(guò)的平均電流相降低，此時(shí)，標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)降級(jí)使用。

可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍;反應(yīng)快，在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷;無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行，無(wú)火花、無(wú)噪音;效率高，成本低等等。

可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通。

可控硅從外形上分類(lèi)主要有：螺栓形、平板形和平底形。

可控硅模塊屬于電氣元器件，目前雙向可控硅模塊是比較理想的交流開(kāi)關(guān)器件，它是從普通可控硅模塊的基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的，使用更加方便、安全可靠。下面正高來(lái)帶您了解下雙向可控硅模塊的特點(diǎn)與性能。

雙向可控硅模塊是由一對(duì)反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅模塊有兩個(gè)主電T1和T2和一個(gè)門(mén)G， 門(mén)使器件在主電的正反兩個(gè)方向均可觸發(fā)導(dǎo)通，所以雙向可控硅在第 1和第 3象限有對(duì)稱(chēng)的伏安特性。雙向可控硅模塊門(mén)加正、負(fù)觸發(fā)脈沖都能使管子觸發(fā)導(dǎo)通，因此有四種觸發(fā)方式。雙向可控硅應(yīng)用為正常使用雙向可控硅模塊，需定量掌握其主要參數(shù)，對(duì)雙向可控硅模塊進(jìn)行適當(dāng)選用并采取相應(yīng)措施以達(dá)到各參數(shù)的要求。