接下來(lái)需要檢測(cè)的是控制與陰之間的PN結(jié)是否損壞。我們可以用萬(wàn)用表的R×1k或R×10k擋測(cè)陽(yáng)與控制之間的電阻，正反向測(cè)量阻值均應(yīng)幾百千歐以上，若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋，測(cè)控制和陰之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或?yàn)闊o(wú)窮大，表明控制與陰之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大，但不能為無(wú)窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。

  如果想要判斷可控硅是否已經(jīng)被擊穿損壞，工程師可以使用萬(wàn)用表選電阻R×1擋，然后將黑表筆接陽(yáng)，紅表筆仍接陰，此時(shí)萬(wàn)用表指針應(yīng)不動(dòng)。紅表筆接陰不動(dòng)，四川可控硅模塊報(bào)價(jià)，黑表筆在不脫開(kāi)陽(yáng)的同時(shí)用表筆尖去瞬間短接控制，此時(shí)萬(wàn)用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽(yáng)接黑表筆，陰接紅表筆時(shí)，萬(wàn)用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，四川可控硅模塊報(bào)價(jià)，四川可控硅模塊報(bào)價(jià)，說(shuō)明該單向可控硅已擊穿損壞。 地理位置優(yōu)越，交通十分便利。四川可控硅模塊報(bào)價(jià)

可控硅模塊是有PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成的元件，有三個(gè)電，陽(yáng)a，陰K和控制機(jī)G所構(gòu)成的。

可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域模塊應(yīng)用詳細(xì)說(shuō)明介紹：

可控硅模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合，如工業(yè)、通訊、等各類(lèi)電氣控制、電源等，根據(jù)還可通過(guò)可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功能，并可實(shí)現(xiàn)過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)溫、缺相等保護(hù)功能。 四川可控硅模塊報(bào)價(jià)淄博正高電氣有限公司具備雄厚的實(shí)力和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。

雙向可控硅的檢測(cè)

用萬(wàn)用表電阻R×1檔，用紅黑兩表筆分別測(cè)任意兩引腳正反向電阻，結(jié)果其中兩組讀數(shù)為無(wú)窮大。若一組為數(shù)十歐姆時(shí)，該組紅黑表筆所接的兩引腳為陽(yáng)A1和控制G，另一空腳即為第二陽(yáng)A2。確定A、G后，再仔細(xì)測(cè)量A1、G間正反向電阻，讀數(shù)相對(duì)較小的那次測(cè)量的黑表筆所接的引腳為陽(yáng)A1，紅表筆所接引腳為控制G。將黑表筆接已確定了的第二陽(yáng)A2，紅表筆接陽(yáng)A1，此時(shí)萬(wàn)用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無(wú)窮大。再用短接線將A2、G瞬間短接，給G加上正向觸發(fā)電壓，A2、A1間阻值約為10歐姆左右。隨后斷開(kāi)A2、G短接線，萬(wàn)用表讀數(shù)應(yīng)保持10歐姆左右�；�換紅黑表筆接線，紅表筆接第二陽(yáng)A2，黑表筆接陽(yáng)A1。同樣萬(wàn)用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無(wú)窮大。用短接線將A2、G間再次瞬間短接，給G加上負(fù)向的觸發(fā)電壓，A1、A2間阻值也是10歐姆左右。隨后斷開(kāi)A2、G間短接線，萬(wàn)用表讀數(shù)應(yīng)不變，保持10歐姆左右。符合以上規(guī)律，說(shuō)明被測(cè)雙向可控硅管未損壞且三個(gè)引腳性判斷正確。

檢測(cè)較大功率可控硅管是地，需要在萬(wàn)用表黑筆中串接一節(jié)1.5V干電池，以提高觸發(fā)電壓。

可控硅模塊屬于電氣元器件，目前雙向可控硅模塊是比較理想的交流開(kāi)關(guān)器件，它是從普通可控硅模塊的基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的，使用更加方便、安全可靠。下面正高來(lái)帶您了解下雙向可控硅模塊的特點(diǎn)與性能。

雙向可控硅模塊是由一對(duì)反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅模塊有兩個(gè)主電T1和T2和一個(gè)門(mén)G， 門(mén)使器件在主電的正反兩個(gè)方向均可觸發(fā)導(dǎo)通，所以雙向可控硅在第 1和第 3象限有對(duì)稱(chēng)的伏安特性。雙向可控硅模塊門(mén)加正、負(fù)觸發(fā)脈沖都能使管子觸發(fā)導(dǎo)通，因此有四種觸發(fā)方式。雙向可控硅應(yīng)用為正常使用雙向可控硅模塊，需定量掌握其主要參數(shù)，對(duì)雙向可控硅模塊進(jìn)行適當(dāng)選用并采取相應(yīng)措施以達(dá)到各參數(shù)的要求。 淄博正高電氣有限公司深受各界客戶(hù)好評(píng)及厚愛(ài)。

相信大家對(duì)于可控硅模塊并不陌生了，現(xiàn)代在電氣行業(yè)的不斷發(fā)展，可控硅模塊的使用范圍越來(lái)越廣，但是你對(duì)可控硅模塊的了解有多少呢，它的主要參數(shù)有哪些你知道嗎？下面為大家講解。

可控硅模塊的主要參數(shù)有：

(1) 額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽(yáng)---陰間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。

(2) 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制開(kāi)路未加觸發(fā)信號(hào)，陽(yáng)正向電壓還未超過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓�？煽毓枘�塊承受的正向電壓峰值，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。

(3) 反向陰斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的反向峰值電壓。使用時(shí)，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。 淄博正高電氣有限公司推行現(xiàn)代化管理制度。四川可控硅模塊報(bào)價(jià)

淄博正高電氣有限公司始終以適應(yīng)和促進(jìn)發(fā)展為宗旨。四川可控硅模塊報(bào)價(jià)

滿足可控硅模塊工作的必要條件：

（1）+12V直流電源：可控硅模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。

①可控硅模塊輸出電壓要求：+12V電源：12±0.5V ，紋波電壓小于20mv 。

②可控硅模塊輸出電流要求：標(biāo)稱(chēng)電流小于500安培產(chǎn)品：I+12V＞0.5A，標(biāo)稱(chēng)電流大于500安培產(chǎn)品：I+12V＞ 1A。

（2）可控硅模塊控制信號(hào)：0～10V或4～20mA控制信號(hào)，用于對(duì)輸出電壓大小進(jìn)行調(diào)整的控制信號(hào)，正接CON10V或CON20mA，負(fù)接GND1。

（3）可控硅模塊供電電源和負(fù)載：供電電源一般為電網(wǎng)電源，電壓460V以下的或者供電變壓器，接可控硅模塊的輸入端子；負(fù)載為用電器，接可控硅模塊的輸出端子。 四川可控硅模塊報(bào)價(jià)

淄博正高電氣有限公司成立于2011-01-06，可控硅模塊,晶閘管模塊,晶閘管智能模塊,可控硅集成模塊,晶閘管集成模塊,可控硅觸發(fā)板,電力調(diào)整器,固態(tài)繼電器,智能可控硅調(diào)壓模塊,晶閘管調(diào)壓模塊,可控硅模塊廠家,可控硅智能調(diào)壓模塊,移相觸發(fā)板,調(diào)壓模塊,晶閘管智能調(diào)壓模塊,單相觸發(fā)板等多項(xiàng)業(yè)務(wù)，主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋[ "可控硅模塊", "晶閘管智能模塊", "觸發(fā)板", "電力調(diào)整器" ]。公司目前擁有51~100人員工，為員工提供廣闊的發(fā)展平臺(tái)與成長(zhǎng)空間，為客戶(hù)提供高質(zhì)高效的產(chǎn)品服務(wù)，深受員工與客戶(hù)好評(píng)。淄博正高電氣有限公司主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋[ "可控硅模塊", "晶閘管智能模塊", "觸發(fā)板", "電力調(diào)整器" ]，堅(jiān)持“質(zhì)量、服務(wù)、顧客滿意”的質(zhì)量方針，贏得廣大客戶(hù)的支持和信賴(lài)。目前公司已經(jīng)成為[ "可控硅模塊", "晶閘管智能模塊", "觸發(fā)板", "電力調(diào)整器" ]的企業(yè)，正積蓄著更大的能量，向更廣闊的空間、更廣泛的領(lǐng)域拓展。