可控硅模塊規(guī)格的選擇方法：考慮到可控硅產(chǎn)品一般為非正弦電流，日照高壓可控硅模塊報(bào)價(jià)，存在導(dǎo)通角問題，日照高壓可控硅模塊報(bào)價(jià)，負(fù)載電流存在一些波動(dòng)和不穩(wěn)定因素，晶閘管芯片抗電流沖擊能力差，在選擇模塊電流規(guī)格時(shí)必須留出一定的裕度。

選擇方法可按照以下公式計(jì)算：I＞K×I負(fù)載×U∕U實(shí)際

K ：安全系數(shù)，阻性負(fù)載K= 1.5，感性負(fù)載K= 2；

I負(fù)載：負(fù)載流過的強(qiáng)大電流； U實(shí)際：負(fù)載上的小電壓；

U強(qiáng)大 模塊能輸出的強(qiáng)大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1，日照高壓可控硅模塊報(bào)價(jià).35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規(guī)格均為1.0倍）；

I：需要選擇模塊的小電流,模塊標(biāo)稱的電流必須大于該值。

可控硅模塊的使用注意事項(xiàng)

1.在選擇可控硅模塊的額定電流時(shí)，應(yīng)注意的是，除考慮通過元件的平均電流外，還必須注意正常運(yùn)行過程中傳導(dǎo)角的大小、散熱和通風(fēng)條件等因素，同時(shí)，管殼的溫度不得超過相應(yīng)電流的允許值。

2.使用可控硅模塊時(shí)，使用萬用表檢查可控硅模塊是否處于良好狀態(tài)，如有短路或斷路，應(yīng)立即更換。

3.嚴(yán)禁使用兆歐表來檢查部件的絕緣情況。

4.率大于5A的可控硅模塊，應(yīng)安裝散熱器，并規(guī)定的冷卻條件。同時(shí)，為散熱器與可控硅模塊管芯接觸良好，應(yīng)在兩者之間涂一層有機(jī)硅油或硅脂，以利于更好的散熱。

5.根據(jù)規(guī)定，主電路中的可控硅模塊采用過電壓和過電流保護(hù)裝置。

6.防止控制正向過載和反向擊穿。

可控硅模塊的特性

單向晶閘管模塊具有其獨(dú)特的特性：當(dāng)陽連接到反向電壓時(shí)，或陽連接到正向電壓時(shí)，但控制不增加電壓，則不會(huì)導(dǎo)通，當(dāng)陽和控制同時(shí)連接到正向電壓時(shí)，將變?yōu)榻油�狀態(tài)。一旦接通，控制電壓將失去控制作用。無論有無控制電壓，無論控制電壓的性如何，都將始終處于接通狀態(tài)。若要關(guān)閉，只能將陽電壓降到某個(gè)臨界值或反向。

雙向晶閘管模塊的管腳大多按T1、T2和G的順序從左到右排列（當(dāng)電管腳朝著帶有字符的一側(cè)向下時(shí)）。當(dāng)改變施加到控制G的觸發(fā)脈沖的大小或時(shí)間時(shí)，其接通電流的大小可以改變。