貴州可控硅模塊特點(diǎn) 淄博正高電氣供應(yīng)
發(fā)貨地點(diǎn)：山東省淄博市
發(fā)布時(shí)間：2025-03-26
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可控硅鑒別三個(gè)的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，用萬用表測(cè)量一下三個(gè)之間的電阻值就可以判斷出來。
陽與陰之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽和控制之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽和控制正反向都不通），貴州可控硅模塊特點(diǎn)。
控制與陰之間是一個(gè)P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大�？墒强刂贫芴匦允遣惶硐氲模聪虿皇峭耆首钄酄顟B(tài)的，可以有比較大的電流通過，因此，有時(shí)測(cè)得控制反向電阻比較小，并不能說明控制特性不好。另外，貴州可控硅模塊特點(diǎn)，在測(cè)量控制正反向電阻時(shí)，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制反向擊穿。
若測(cè)得元件陰陽正反向已短路，貴州可控硅模塊特點(diǎn)，或陽與控制短路，或控制與陰反向短路，或控制與陰斷路，說明元件已損壞。
可控硅模塊的分類可控硅模塊從X芯片上看，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類，從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX）、普通整流管模塊（MDC）、普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機(jī)模塊MTG\MDG）、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）、單相（三相）整流橋模塊（MDQ）、單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等。
雙向可控硅的檢測(cè)
用萬用表電阻R×1檔，用紅黑兩表筆分別測(cè)任意兩引腳正反向電阻，結(jié)果其中兩組讀數(shù)為無窮大。若一組為數(shù)十歐姆時(shí)，該組紅黑表筆所接的兩引腳為陽A1和控制G，另一空腳即為第二陽A2。確定A、G后，再仔細(xì)測(cè)量A1、G間正反向電阻，讀數(shù)相對(duì)較小的那次測(cè)量的黑表筆所接的引腳為陽A1，紅表筆所接引腳為控制G。將黑表筆接已確定了的第二陽A2，紅表筆接陽A1，此時(shí)萬用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無窮大。再用短接線將A2、G瞬間短接，給G加上正向觸發(fā)電壓，A2、A1間阻值約為10歐姆左右。隨后斷開A2、G短接線，萬用表讀數(shù)應(yīng)保持10歐姆左右。互換紅黑表筆接線，紅表筆接第二陽A2，黑表筆接陽A1。同樣萬用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無窮大。用短接線將A2、G間再次瞬間短接，給G加上負(fù)向的觸發(fā)電壓，A1、A2間阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G間短接線，萬用表讀數(shù)應(yīng)不變，保持10歐姆左右。符合以上規(guī)律，說明被測(cè)雙向可控硅管未損壞且三個(gè)引腳性判斷正確。
檢測(cè)較大功率可控硅管是地，需要在萬用表黑筆中串接一節(jié)1.5V干電池，以提高觸發(fā)電壓。
