濕刻蝕：較普遍、也是設(shè)備成本較低的刻蝕方法。其影響被刻蝕物之刻蝕速率(etchingrate)的因素有三：刻蝕液濃度、刻蝕液溫度、及攪拌(stirring)之有無(wú)。定性而言，增加刻蝕溫度與加入攪拌，均能有效提高刻蝕速率；但濃度之影響則較不明確。舉例來(lái)說(shuō)，以49%的HF刻蝕SiO2，當(dāng)然比BOE(Buffered-Oxide-Etch；HF：NH4F=1：6)快的多；但40%的KOH刻蝕付淋兇和Si的速率卻比20%KOH慢！濕刻蝕的配方選用是一項(xiàng)化學(xué)的，對(duì)于一般不是這方面的研究人員，必須向該化學(xué)的同儕請(qǐng)教。一個(gè)選用濕刻蝕配方的重要觀念是（選擇性）(selectivity)，意指進(jìn)行刻蝕時(shí)，對(duì)被蝕物去除速度與連帶對(duì)其他材質(zhì)(如刻蝕掩膜；etchingmask，或承載被加工薄膜之基板；substrate)的速度之比值。一個(gè)具有高選擇性的刻蝕系統(tǒng)，山西ICP材料刻蝕加工平臺(tái)，應(yīng)該只對(duì)被加工薄膜有作用，而不傷及一旁之刻蝕掩膜或其下的基板材料干法刻蝕優(yōu)點(diǎn)是：細(xì)線條操作安全，山西ICP材料刻蝕加工平臺(tái)，山西ICP材料刻蝕加工平臺(tái)，易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化，無(wú)化學(xué)廢液，處理過(guò)程未引入污染，潔凈度高。山西ICP材料刻蝕加工平臺(tái)

在等離子蝕刻工藝中,發(fā)生著許多的物理現(xiàn)象。當(dāng)在腔體中使用電（DC或RF激發(fā)）或微波產(chǎn)生一個(gè)強(qiáng)電場(chǎng),這個(gè)電場(chǎng)會(huì)加速所有的自由電子并提高他們的內(nèi)部能量(由于宇宙射線的原因,在任何環(huán)境中都會(huì)存在一些自由電子)。自由電子與氣體中的原子/分子發(fā)生撞擊,如果在碰撞過(guò)程中,電子傳遞了足夠的能量給原子/分子,就會(huì)發(fā)生電離現(xiàn)象,并且產(chǎn)生正離子和其他自由電子若碰撞傳遞的能量不足以激發(fā)電離現(xiàn)象則無(wú)法產(chǎn)生穩(wěn)定且能發(fā)生反應(yīng)的中性物當(dāng)足夠的能量提供給系統(tǒng),一個(gè)穩(wěn)定的,氣相等離子體包含自由電子,正離子和反應(yīng)中性物等離子蝕刻工藝中等離子體中的原子、分子離子、反應(yīng)中性物通過(guò)物理和化學(xué)方式移除襯底表面的材料。純物理蝕刻采用強(qiáng)電場(chǎng)來(lái)加速正原子離子（通常使用重量較重,惰性的氬原子）朝向襯底，加速過(guò)程將能量傳遞給了離子,當(dāng)它們撞擊到襯底表面時(shí),內(nèi)部的能量傳遞給襯底表面的原子,如果足夠的能量被傳遞,襯底表面的原子會(huì)被噴射到氣體中,較終被真空系統(tǒng)抽走。山西ICP材料刻蝕加工平臺(tái)有圖形刻蝕可用來(lái)在硅片上制作多種不同的特征圖形，包括柵、金屬互連線、通孔、接觸孔和溝槽。

氮化硅的干法刻蝕S13N4在半導(dǎo)體工藝中主要用在兩個(gè)地方。1、用做器件區(qū)的防止氧化保護(hù)層（厚約lOOnm）。2、作為器件的鈍化保護(hù)層。在這兩個(gè)地方刻蝕的圖形尺寸都比較大，非等向的刻蝕就不那么重要了�？涛gSi3N4時(shí)下方通常是厚約25nm的Si02，為了避免對(duì)Si02層的刻蝕，Si3N4與S102之間必須有一定的刻蝕選擇比。S13N4的刻蝕基本上與Si02和Si類似，常用CF4+0等離子體來(lái)刻蝕。但是Si-N鍵強(qiáng)度介于Si-Si與Si-0之間，因此使Si3N4對(duì)Si或Si02的刻蝕選擇比均不好。在CF4的等離子體中，Si對(duì)Si3N4的選擇比約為8，而Si3N4對(duì)Si02的選擇比只有2一3，在這么低的刻蝕選擇比下，刻蝕時(shí)間的控制就變得非常重要。除了CF4外，也有人改用蘭氟化氮(NF3)的等離子體來(lái)刻蝕Si3N4，雖然刻蝕速率較慢，但可獲得可以接受的Si3N4/Si02的刻蝕選擇比。

同樣的刻蝕條件，針對(duì)不同的刻蝕暴露面積，刻蝕的速率會(huì)有所不一樣。通常來(lái)說(shuō)，刻蝕面積越大，刻蝕的速率越慢，暴露面積越小，刻蝕的速率越快。所以在速率調(diào)試的過(guò)程中，需要使用尺寸相當(dāng)?shù)臉悠愤M(jìn)來(lái)調(diào)試，這樣調(diào)試的刻蝕速率參考意義比較大。氮化硅濕法刻蝕：對(duì)于鈍化層，另外一種受青睞的化合物是氮化硅�？梢杂靡后w化學(xué)的方法來(lái)刻蝕，但是不想其他層那樣容易。使用的化學(xué)品是熱磷酸。因酸液在此溫度下會(huì)迅速蒸發(fā)，所以刻蝕要在一個(gè)裝有冷卻蓋的密封回流容器中進(jìn)行。主要問(wèn)題是光刻膠層經(jīng)不起刻蝕劑的溫度和高刻蝕速率。因此，需要一層二氧化硅或其他材料來(lái)阻擋刻蝕劑。這兩個(gè)因素已導(dǎo)致對(duì)于氮化硅使用干法刻蝕技術(shù)�？涛g較簡(jiǎn)單較常用分類是：干法刻蝕和濕法刻蝕。

干刻蝕是一類較新型，但迅速為半導(dǎo)體工業(yè)所采用的技術(shù)。其利用電漿(plasma)來(lái)進(jìn)行半導(dǎo)體薄膜材料的刻蝕加工。其中電漿必須在真空度約10至0.001Torr的環(huán)境下，才有可能被激發(fā)出來(lái)；而干刻蝕采用的氣體，或轟擊質(zhì)量頗巨，或化學(xué)活性高，均能達(dá)成刻蝕的目的。干刻蝕基本上包括離子轟擊與化學(xué)反應(yīng)兩部份刻蝕機(jī)制。偏「離子轟擊」效應(yīng)者使用氬氣(argon)，加工出來(lái)之邊緣側(cè)向侵蝕現(xiàn)象微。而偏化學(xué)反應(yīng)效應(yīng)者則采氟系或氯系氣體(如四氟化碳CF4)，經(jīng)激發(fā)出來(lái)的電漿，即帶有氟或氯之離子團(tuán)，可快速與芯片表面材質(zhì)反應(yīng)。刪轎厚干刻蝕法可直接利用光阻作刻蝕之阻絕遮幕，不必另行成長(zhǎng)阻絕遮幕之半導(dǎo)體材料。而其較重要的優(yōu)點(diǎn)，能兼顧邊緣側(cè)向侵蝕現(xiàn)象微與高刻蝕率兩種優(yōu)點(diǎn)，換言之，本技術(shù)中所謂活性離子刻蝕已足敷頁(yè)堡局滲次微米線寬制程技術(shù)的要求，而正被大量使用。對(duì)于二氧化硅刻蝕，氣體一般使用CF4和氧的混合劑。東莞氧化硅材料刻蝕服務(wù)

等離子體刻蝕機(jī)要求相同的元素：化學(xué)刻蝕劑和能量源。山西ICP材料刻蝕加工平臺(tái)

濕法刻蝕是化學(xué)清洗方法中的一種，是化學(xué)清洗在半導(dǎo)體制造行業(yè)中的應(yīng)用，是用化學(xué)方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過(guò)程。其基本目的是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩膜圖形，有圖形的光刻膠層在刻蝕中不受到源明顯的侵蝕，這層掩蔽膜用來(lái)在刻蝕中保護(hù)硅片上的特殊區(qū)域而選擇性地刻蝕掉未被光刻膠保護(hù)的區(qū)域。從半導(dǎo)體制造業(yè)一開始，濕法刻蝕就與硅片制造聯(lián)系在一起。雖然濕法刻蝕已經(jīng)逐步開始被干法刻蝕所取代，但它在漂去氧化硅、去除殘留物、表層剝離以及大尺寸圖形刻蝕應(yīng)用等方面仍然起著重要的作用。與干法刻蝕相比，濕法刻蝕的好處在于對(duì)下層材料具有高的選擇比，對(duì)器件不會(huì)帶來(lái)等離子體損傷，并且設(shè)備簡(jiǎn)單。山西ICP材料刻蝕加工平臺(tái)

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是一家面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造高品質(zhì)的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備，建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的人才隊(duì)伍。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù)，面向國(guó)內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享，為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持。的公司，致力于發(fā)展為創(chuàng)新務(wù)實(shí)、誠(chéng)實(shí)可信的企業(yè)。廣東省半導(dǎo)體所擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富、技術(shù)創(chuàng)新的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，以高度的專注和執(zhí)著為客戶提供微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所始終以本分踏實(shí)的精神和必勝的信念，影響并帶動(dòng)團(tuán)隊(duì)取得成功。廣東省半導(dǎo)體所創(chuàng)始人陳志濤，始終關(guān)注客戶，創(chuàng)新科技，竭誠(chéng)為客戶提供良好的服務(wù)。