在半導(dǎo)體制造中有兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法。干法刻蝕是把硅片表面曝露于氣態(tài)中產(chǎn)生的等離子體，等離子體通過(guò)光刻膠中開(kāi)出的窗口，湖南MEMS材料刻蝕公司，與硅片發(fā)生物理或化學(xué)反應(yīng)（或這兩種反應(yīng)），湖南MEMS材料刻蝕公司，從而去掉曝露的表面材料。干法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的較重要方法。而在濕法中，湖南MEMS材料刻蝕公司，液體化學(xué)試劑（如酸、堿和溶劑等）以化學(xué)方式去除硅片表面的材料。濕法一般只是用在尺寸較大的情況下（大于3微米）。濕法仍然用來(lái)硅片上某些層或用來(lái)去除干法刻蝕后的殘留物。鈍化層基本的刻蝕劑是氫氟酸，它有刻蝕二氧化硅而不傷及硅的優(yōu)點(diǎn)。湖南MEMS材料刻蝕公司

工藝所用化學(xué)物質(zhì)取決于要刻蝕的薄膜類(lèi)型。介電刻蝕應(yīng)用中通常使用含氟的化學(xué)物質(zhì)。硅和金屬刻蝕使用含氯成分的化學(xué)物質(zhì)。在工藝中可能會(huì)對(duì)一個(gè)薄膜層或多個(gè)薄膜層執(zhí)行特定的刻蝕步驟。當(dāng)需要處理多層薄膜時(shí)，以及刻蝕中必須停在某個(gè)特定薄膜層而不對(duì)其造成損傷時(shí)，刻蝕工藝的選擇比就變得非常重要。選擇比是兩個(gè)刻蝕速率的比率：被去除層的刻蝕速率與被保護(hù)層的刻蝕速率（例如刻蝕掩膜或終止層）。掩�；蛲Ｖ箤樱┩ǔ６枷Ｍ�有更高的選擇比。湖南MEMS材料刻蝕公司刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無(wú)圖形刻蝕。

等離子刻蝕是將電磁能量（通常為射頻（RF））施加到含有化學(xué)反應(yīng)成分（如氟或氯）的氣體中實(shí)現(xiàn)。等離子會(huì)釋放帶正電的離子來(lái)撞擊晶圓以去除（刻蝕）材料，并和活性自由基產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，與刻蝕的材料反應(yīng)形成揮發(fā)性或非揮發(fā)性的殘留物。離子電荷會(huì)以垂直方向射入晶圓表面。這樣會(huì)形成近乎垂直的刻蝕形貌，這種形貌是現(xiàn)今密集封裝芯片設(shè)計(jì)中制作細(xì)微特征所必需的。一般而言，高蝕速率（在一定時(shí)間內(nèi)去除的材料量）都會(huì)受到歡迎。反應(yīng)離子刻蝕（RIE）的目標(biāo)是在物理刻蝕和化學(xué)刻蝕之間達(dá)到較佳平衡，使物理撞擊（刻蝕率）強(qiáng)度足以去除必要的材料，同時(shí)適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)反應(yīng)能形成易于排出的揮發(fā)性殘留物或在剩余物上形成保護(hù)性沉積（選擇比和形貌控制）。采用磁場(chǎng)增強(qiáng)的RIE工藝，通過(guò)增加離子密度而不增加離子能量（可能會(huì)損失晶圓）的方式，改進(jìn)了處理過(guò)程。

氮化硅的干法刻蝕S13N4在半導(dǎo)體工藝中主要用在兩個(gè)地方。1、用做器件區(qū)的防止氧化保護(hù)層（厚約lOOnm）。2、作為器件的鈍化保護(hù)層。在這兩個(gè)地方刻蝕的圖形尺寸都比較大，非等向的刻蝕就不那么重要了。刻蝕Si3N4時(shí)下方通常是厚約25nm的Si02，為了避免對(duì)Si02層的刻蝕，Si3N4與S102之間必須有一定的刻蝕選擇比。S13N4的刻蝕基本上與Si02和Si類(lèi)似，常用CF4+0等離子體來(lái)刻蝕。但是Si-N鍵強(qiáng)度介于Si-Si與Si-0之間，因此使Si3N4對(duì)Si或Si02的刻蝕選擇比均不好。在CF4的等離子體中，Si對(duì)Si3N4的選擇比約為8，而Si3N4對(duì)Si02的選擇比只有2一3，在這么低的刻蝕選擇比下，刻蝕時(shí)間的控制就變得非常重要。除了CF4外，也有人改用蘭氟化氮(NF3)的等離子體來(lái)刻蝕Si3N4，雖然刻蝕速率較慢，但可獲得可以接受的Si3N4/Si02的刻蝕選擇比。刻蝕是按照掩模圖形或設(shè)計(jì)要求對(duì)半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性刻蝕的技術(shù)。

刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻，先通過(guò)光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過(guò)其它方式實(shí)現(xiàn)處理掉所需除去的部分�？涛g是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過(guò)程，其基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩模圖形。隨著微制造工藝的發(fā)展，廣義上來(lái)講，刻蝕成了通過(guò)溶液、反應(yīng)離子或其它機(jī)械方式來(lái)剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱(chēng)，成為微加工制造的一種普適叫法。二氧化硅的刻蝕，可以采用濕法的方法來(lái)，也可以采用ICP干法來(lái)刻蝕。江西氮化硅材料刻蝕外協(xié)

介質(zhì)刻蝕是用于介質(zhì)材料的刻蝕，如二氧化硅，氮化硅。湖南MEMS材料刻蝕公司

等向性刻蝕：大部份的濕刻蝕液均是等向性，換言之，對(duì)刻蝕接觸點(diǎn)之任何方向速度并無(wú)明顯差異。故一旦定義好刻蝕掩膜的圖案，暴露出來(lái)的區(qū)域，便是往下的所在；蘭記婚只要刻蝕配方具高選擇性，便應(yīng)當(dāng)止于所該止之深度。然而有鑒于任何被蝕薄膜皆有其厚度，當(dāng)其被蝕出某深度時(shí)，刻蝕掩膜圖案邊緣的部位漸與刻蝕液接觸，故刻蝕液也開(kāi)始對(duì)刻蝕掩膜圖案邊緣的底部，進(jìn)行蝕掏，這就是所謂的下切或側(cè)向侵蝕現(xiàn)象(undercut)。該現(xiàn)象造成的圖案?jìng)?cè)向誤差與被蝕薄膜厚度同數(shù)量級(jí)，換言之，濕刻蝕技術(shù)因之而無(wú)法應(yīng)用在類(lèi)似次微米線寬的精密棄擊乃制程技術(shù)！湖南MEMS材料刻蝕公司

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所位于長(zhǎng)興路363號(hào)，交通便利，環(huán)境優(yōu)美，是一家服務(wù)型企業(yè)。公司是一家機(jī)構(gòu)企業(yè)，以誠(chéng)信務(wù)實(shí)的創(chuàng)業(yè)精神、的管理團(tuán)隊(duì)、踏實(shí)的職工隊(duì)伍，努力為廣大用戶(hù)提供高品質(zhì)的產(chǎn)品。公司始終堅(jiān)持客戶(hù)需求優(yōu)先的原則，致力于提供高質(zhì)量的微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所將以真誠(chéng)的服務(wù)、創(chuàng)新的理念、高品質(zhì)的產(chǎn)品，為彼此贏得全新的未來(lái)！