在一定溫度下，在真空當(dāng)中，蒸發(fā)物質(zhì)的蒸氣與固體或液體平衡過程中所表現(xiàn)出的壓力， 稱為該物質(zhì)的飽和蒸氣壓。此時蒸發(fā)物表面液相、氣相處于動態(tài)平衡，即到達液相表面的分子全部粘接而不離開，并與從液相都氣相的分子數(shù)相等。電子束蒸發(fā)蒸鍍?nèi)珂u(W）、鉬（Mo）等高熔點材料，需要在坩堝的結(jié)構(gòu)上做一定的改進，云南電子束蒸發(fā)真空鍍膜技術(shù)。高熔點的材料采用錠或者顆粒狀放在坩堝當(dāng)中，因為水冷坩堝導(dǎo)熱過快，材料難以達到其蒸發(fā)的溫度。經(jīng)過實驗的驗證，蒸發(fā)高熔點的材料可以用薄片來蒸鍍，將1mm材料薄片架空于碳坩堝上沿，云南電子束蒸發(fā)真空鍍膜技術(shù)，薄片只能通過坩堝邊沿來導(dǎo)熱，散熱速率慢，有利于達到蒸發(fā)的熔點。采用此方法可滿足蒸鍍50nm以下的材料薄膜。物理的氣相沉積技術(shù)具有膜/基結(jié)合力好，云南電子束蒸發(fā)真空鍍膜技術(shù)、薄膜均勻致密、可制取成分穩(wěn)定的合金膜和重復(fù)性好等優(yōu)點。云南電子束蒸發(fā)真空鍍膜技術(shù)

使用等離子體增強氣相沉積法（PECVD）可在低溫（200-350℃）沉積出良好的氧化硅薄膜，已被普遍應(yīng)用于半導(dǎo)體器件工藝當(dāng)中。在LED工藝當(dāng)中，因為PECVD生長出的氧化硅薄膜具有結(jié)構(gòu)致密，介電強度高、硬度大等優(yōu)點，而且氧化硅薄膜對可見光波段吸收系數(shù)很小，所以氧化硅被用于芯片的絕緣層和鈍化層。評價氧化硅薄膜的質(zhì)量，較簡單的方法是采用BOE氧化硅薄膜，速率越慢，薄膜質(zhì)量越致密，反之，速率越快，薄膜質(zhì)量越差。另外，沉積速率的快慢也會影響到薄膜的質(zhì)量，沉積速率過快，會導(dǎo)致氧化硅薄膜速率過快，說明薄膜質(zhì)量比較差。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。云南電子束蒸發(fā)真空鍍膜技術(shù)PECVD當(dāng)中沉積速率的快慢也會影響到薄膜的質(zhì)量。

真空鍍膜的物理過程：PVD（物理的氣相沉積技術(shù)）的基本原理可分為三個工藝步驟：（1）金屬顆粒的氣化：即鍍料的蒸發(fā)、升華或被濺射從而形成氣化源（2）鍍料粒子（（原子、分子或離子）的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經(jīng)過碰撞，產(chǎn)生多種反應(yīng)。（3）鍍料粒子在基片表面的沉積。磁控濺射主要利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。濺鍍薄膜的性質(zhì)、均勻度都比蒸鍍薄膜來的好,但是鍍膜速度卻比蒸鍍慢比較多。新型的濺鍍設(shè)備幾乎都使用強力磁鐵將電子成螺旋狀運動以加速靶材周圍的氬氣離子化,造成靶與氬氣離子間的撞擊機率增加,提高濺鍍速率。

磁控濺射一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,而不導(dǎo)電的陶磁材料則使用RF交流濺鍍,基本的原理是在真空中利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面，電漿中的陽離子會加速沖向作為被濺鍍材的負電表面，這個沖擊將使靶材的物質(zhì)飛出而沉積在基板上形成薄膜。PECVD( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等離子增強化學(xué)氣相沉積，等離子體是物質(zhì)分子熱運動加劇，相互間的碰撞會導(dǎo)致氣體分子產(chǎn)生電離，物質(zhì)就會變成自由運動并由相互作用的正離子、電子和中性粒子組成的混合物。PECVD薄膜的沉積速率主要受到反應(yīng)氣體比例、RF功率、反應(yīng)室壓力、基片生長溫度等。

LPCVD工藝在襯底表面淀積一層均勻的介質(zhì)薄膜，在微納加工當(dāng)中用于結(jié)構(gòu)層材料、xi牲層、絕緣層、掩模材料，LPCVD工藝淀積的材料有多晶硅、氮化硅、磷硅玻璃。不同的材料淀積采用不同的氣體。磁控濺射方向性要優(yōu)于電子束蒸發(fā)，但薄膜質(zhì)量，表面粗糙度等方面不如電子束蒸發(fā)。但磁控濺射可用于多種材料，適用性普遍，電子束蒸發(fā)則只能用于金屬材料蒸鍍，且高熔點金屬，如W，Mo等的蒸鍍較為困難。所以磁控濺射常用于新型氧化物，陶瓷材料的鍍膜，電子束則用于對薄膜質(zhì)量較高的金屬材料。磁控濺射常用來沉積TSV結(jié)構(gòu)的阻擋層和種子層，通過對相關(guān)參數(shù)的調(diào)整和引入負偏壓。云南電子束蒸發(fā)真空鍍膜技術(shù)

蒸發(fā)速率正比于材料的飽和蒸氣壓，溫度變化10%左右，飽和蒸氣壓就要變化一個數(shù)量級左右。云南電子束蒸發(fā)真空鍍膜技術(shù)

PECVD在低溫范圍內(nèi)（200-350℃），沉積速率會隨著基片溫度的升高而略微下降，但不是太明顯。PECVD生長氧化硅薄膜是一個比較復(fù)雜的過程，薄膜的沉積速率主要受到反應(yīng)氣體比例、RF功率、反應(yīng)室壓力、基片生長溫度等。在一定范圍內(nèi)，提高硅烷與笑氣的比例，可提供氧化硅的沉積速率。在RF功率較低的時候，提升RF功率可提升薄膜的沉積速率，當(dāng)RF增加到一定值后，沉積速率隨RF增大而減少，然后趨于飽和。在一定的氣體總量條件下，沉積速率隨腔體壓力增大而增大。云南電子束蒸發(fā)真空鍍膜技術(shù)

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所擁有面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造高品質(zhì)的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結(jié)合的人才隊伍。平臺當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù)，面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享，為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗證以及產(chǎn)品中試提供支持。等多項業(yè)務(wù)，主營業(yè)務(wù)涵蓋微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。一批的技術(shù)團隊，是實現(xiàn)企業(yè)戰(zhàn)略目標(biāo)的基礎(chǔ)，是企業(yè)持續(xù)發(fā)展的動力。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所主營業(yè)務(wù)涵蓋微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)，堅持“質(zhì)量、良好服務(wù)、顧客滿意”的質(zhì)量方針，贏得廣大客戶的支持和信賴。公司深耕微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)，正積蓄著更大的能量，向更廣闊的空間、更寬泛的領(lǐng)域拓展。