微納制造包括微制造和納制造兩個方面。(1)微制造有兩種不同的微制造工藝方式，一種是基于半導體制造工藝的光刻技術(shù)、LIGA技術(shù)、鍵合技術(shù)、封裝技術(shù)等，這些工藝技術(shù)方法較為成熟，但普遍存在加工材料單一、加工設備昂貴等問題，且只能加工結(jié)構(gòu)簡單的二維或準三維微機械零件，無法進行復雜的三維微機械零件的加工；另一種是機械微加工，是指采用機械加工、特種加工及其他成形技術(shù)等傳統(tǒng)加工技術(shù)形成的微加工技術(shù)，可進行三維復雜曲面零件的加工，加工材料不受限制，包括微細磨削、微細車削，四川功率器件微納加工平臺、微細銑削、微細鉆削、微沖壓、微成形等。(2)納制造納制造是指具有特定功能的納米尺度的結(jié)構(gòu)、器件和系統(tǒng)的制造技術(shù)，四川功率器件微納加工平臺，包括納米壓印技術(shù)、刻劃技術(shù)、原子操縱技術(shù)等，四川功率器件微納加工平臺。未來幾年微納制造系統(tǒng)和平臺的發(fā)展前景包括的方面：智能的、可升級的和適應性強的微納制造系統(tǒng)。四川功率器件微納加工平臺
微納加工技術(shù)指尺度為亞毫米、微米和納米量級元件以及由這些元件構(gòu)成的部件或系統(tǒng)的優(yōu)化設計、加工、組裝、系統(tǒng)集成與應用技術(shù)。微納加工按技術(shù)分類，主要分為平面工藝、探針工藝、模型工藝。主要介紹微納加工的平面工藝，平面工藝主要可分為薄膜工藝、圖形化工藝（光刻）、刻蝕工藝。光刻是微納加工技術(shù)中較關(guān)鍵的工藝步驟，光刻的工藝水平?jīng)Q定產(chǎn)品的制程水平和性能水平。光刻的原理是在基底表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠，再用光線（一般是紫外光、深紫外光、紫外光）透過光刻板照射在基底表面，被光線照射到的光刻膠會發(fā)生反應。此后用顯影液洗去被照射/未被照射的光刻膠，就實現(xiàn)了圖形從光刻板到基底的轉(zhuǎn)移。四川功率器件微納加工平臺大部份的濕刻蝕液均是各向同性的，換言之，對刻蝕接觸點之任何方向速度并無明顯差異。
微納加工氧化工藝是在高溫下，襯底的硅直接與O2發(fā)生反應生成SiO2，后續(xù)O2通過SiO2層擴散到Si/SiO2界面，繼續(xù)與Si發(fā)生反應增加SiO2薄膜的厚度，生成1個單位厚度的SiO2薄膜，需要消耗0.445單位厚度的Si襯底；相對CVD工藝而言，氧化工藝可以制作更加致密的SiO2薄膜，有利于與其他材料制作更加牢固可靠的結(jié)構(gòu)層，提高MEMS器件的可靠性。同時致密的SiO2薄膜有利于提高與其它材料的濕法刻蝕選擇比，提高刻蝕加工精度，制作更加精密的MEMS器件。同時氧化工藝一般采用傳統(tǒng)的爐管設備來制作，成本低，產(chǎn)量大，一次作業(yè)100片以上，SiO2薄膜一致性也可以做到更高+/-3%以內(nèi)。
微納加工技術(shù)指尺度為亞毫米、微米和納米量級元件以及由這些元件構(gòu)成的部件或系統(tǒng)的優(yōu)化設計、加工、組裝、系統(tǒng)集成與應用技術(shù)，涉及領(lǐng)域廣、多學科交叉融合，其較主要的發(fā)展方向是微納器件與系統(tǒng)（MEMS）。微納器件與系統(tǒng)是在集成電路制作上發(fā)展的系列技術(shù)，研制微型傳感器、微型執(zhí)行器等器件和系統(tǒng)，具有微型化、批量化、成本低的鮮明特點，微納加工技術(shù)對現(xiàn)代的生活、生產(chǎn)產(chǎn)生了巨大的促進作用，并催生了一批新興產(chǎn)業(yè)。在Si片上形成具有垂直側(cè)壁的高深寬比溝槽結(jié)構(gòu)是制備MEMS器件的關(guān)鍵工藝，其各向異性刻蝕要求非常嚴格。高深寬比的干法刻蝕技術(shù)以其刻蝕速率快、各向異性較強、污染少等優(yōu)點脫穎而出，成為MEMS器件加工的關(guān)鍵技術(shù)之一。微納加工平臺主要提供微納加工技術(shù)工藝。
微納測試與表征技術(shù)是微納加工技術(shù)的基礎(chǔ)與前提，它包括在微納器件的設計、制造和系統(tǒng)集成過程中，對各種參量進行微米/納米檢測的技術(shù)。微米測量主要服務于精密制造和微加工技術(shù)，目標是獲得微米級測量精度，或表征微結(jié)構(gòu)的幾何、機械及力學特性；納米測量則主要服務于材料工程和納米科學，特別是納米材料，目標是獲得材料的結(jié)構(gòu)、地貌和成分的信息。在半導體領(lǐng)域人們所關(guān)心的與尺寸測量有關(guān)的參數(shù)主要包括：特征尺寸或線寬、重合度、薄膜的厚度和表面的糙度等等。未來，微納測試與表征技術(shù)正朝著從二維到三維、從表面到內(nèi)部、從靜態(tài)到動態(tài)、從單參量到多參量耦合、從封裝前到封裝后的方向發(fā)展。探索新的測量原理、測試方法和表征技術(shù)，發(fā)展微納加工及制造實時在線測試方法和微納器件質(zhì)量快速檢測系統(tǒng)已成為了微納測試與表征的主要發(fā)展趨勢。微納加工平臺支持基礎(chǔ)信息器件與系統(tǒng)等多領(lǐng)域、交叉學科，開展前沿信息科學研究和技術(shù)開發(fā)。四川功率器件微納加工平臺
微納制造技術(shù)是微傳感器、微執(zhí)行器、微結(jié)構(gòu)和功能微納系統(tǒng)制造的基本手段和重要基礎(chǔ)。四川功率器件微納加工平臺
ICP（感應耦合等離子）刻蝕GaN是物料濺射和化學反應相結(jié)合的復雜過程�？涛gGaN主要使用到氯氣和三氯化硼，刻蝕過程中材料表面表面的Ga-N鍵在離子轟擊下破裂，此為物理濺射，產(chǎn)生活性的Ga和N原子，氮原子相互結(jié)合容易析出氮氣，Ga原子和Cl離子生成容易揮發(fā)的GaCl2或者GaCl3。光刻（Photolithography)是一種圖形轉(zhuǎn)移的方法，在微納加工當中不可或缺的技術(shù)。光刻是一個比較大的概念，其實它是有多步工序所組成的。1.清洗：清洗襯底表面的有機物。2.旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面。3.曝光。將光刻版與襯底對準，在紫外光下曝光一定的時間。4.顯影：將曝光后的襯底在顯影液下顯影一定的時間，受過紫外線曝光的地方會溶解在顯影液當中。5.后烘。將顯影后的襯底放置熱板上后烘，以增強光刻膠與襯底之前的粘附力。四川功率器件微納加工平臺
廣東省科學院半導體研究所是一家面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造高品質(zhì)的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結(jié)合的人才隊伍。平臺當前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務，面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享，為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗證以及產(chǎn)品中試提供支持。的公司，致力于發(fā)展為創(chuàng)新務實、誠實可信的企業(yè)。公司自創(chuàng)立以來，投身于微納加工技術(shù)服務，真空鍍膜技術(shù)服務，紫外光刻技術(shù)服務，材料刻蝕技術(shù)服務，是電子元器件的主力軍。廣東省半導體所不斷開拓創(chuàng)新，追求出色，以技術(shù)為先導，以產(chǎn)品為平臺，以應用為重點，以服務為，不斷為客戶創(chuàng)造更高價值，提供更優(yōu)服務。廣東省半導體所始終關(guān)注電子元器件市場，以敏銳的市場洞察力，實現(xiàn)與客戶的成長共贏。
