MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類，P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管。如果N型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖赑型反型層溝道，加上適當(dāng)?shù)钠珘�，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道耗盡型場效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓值相等的情況下，北京貿(mào)易MOS管值得推薦，PMOS晶體管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管一一晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導(dǎo)小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見N溝道金屬一氧化物一半導(dǎo)體集成電路)出現(xiàn)之后，多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是，北京貿(mào)易MOS管值得推薦,因PMOS電路工藝簡單,價格便宜，有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，北京貿(mào)易MOS管值得推薦，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。北京貿(mào)易MOS管值得推薦

    由以上分析我們可以畫出mos管工作原理圖中MOS管電路部分的工作過程（見圖）。工作原理同前所述。MOS管應(yīng)用電路MOS管明顯的特性是開關(guān)特性好，所以被廣泛應(yīng)用在需要電子開關(guān)的電路中，常見的如開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動，也有照明調(diào)光�，F(xiàn)在的MOS驅(qū)動，有幾個特別的需求：1、低壓應(yīng)用當(dāng)使用5V電源，這時候如果使用傳統(tǒng)的mos管工作原理圖圖騰柱結(jié)構(gòu)，由于三極管的be有，導(dǎo)致實(shí)際終加在gate上的電壓只有。這時候，我們選用標(biāo)稱gate電壓。同樣的問題也發(fā)生在使用3V或者其他低壓電源的場合。2、寬電壓應(yīng)用輸入電壓并不是一個固定值，它會隨著時間或者其他因素而變動。這個變動導(dǎo)致PWM電路提供給MOS管的驅(qū)動電壓是不穩(wěn)定的。為了讓MOS管在高gate電壓下安全，很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管強(qiáng)行限制gate電壓的幅值。在這種情況下，當(dāng)提供的驅(qū)動電壓超過穩(wěn)壓管的電壓，就會引起較大的靜態(tài)功耗。同時，如果簡單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會出現(xiàn)輸入電壓比較高的時候，MOS管工作良好，而輸入電壓降低的時候gate電壓不足，引起導(dǎo)通不夠徹底，從而增加功耗。3、雙電壓應(yīng)用在一些控制電路中，邏輯部分使用典型的5V或者，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個電壓采用共地方式連接。北京貿(mào)易MOS管值得推薦電流極小或?yàn)?，所以稱為"零電阻"，即對信號幾乎不產(chǎn)生任何影響。

    MOS管應(yīng)用電壓的極性和我們普通的晶體三極管相同，N溝道的類似NPN晶體三極管，漏極D接正極，源極S接負(fù)極，柵極G正電壓時導(dǎo)電溝道建立，N溝道MOS管開始工作,如圖二所示。同樣P道的類似PNP晶體三極管，漏極D接負(fù)極，源極S接正極，柵極G負(fù)電壓時，導(dǎo)電溝道建立，P溝道MOS管開始工作,如圖圖四所示；五、MOS管的工作原理。從上圖一可以看出增強(qiáng)型MOS管的漏極D和源極S之間有兩個背靠背的PN結(jié)。當(dāng)柵-源電壓VGS=0時，即使加上漏-源電壓VDS，總有一個PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，漏-源極間沒有導(dǎo)電溝道（沒有電流流過），所以這時漏極電流ID=0。此時若在柵-源極間加上正向電壓，圖二所示，即VGS＞0，則柵極和硅襯底之間的SiO2絕緣層中便產(chǎn)生一個柵極指向P型硅襯底的電場，由于氧化物層是絕緣的，柵極所加電壓VGS無法形成電流，氧化物層的兩邊就形成了一個電容，VGS等效是對這個電容充電，并形成一個電場，隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在這個電容的另一邊就聚集大量的電子并形成了一個從漏極到源極的N型導(dǎo)電溝道，當(dāng)VGS大于管子的開啟電壓VT（一般約為2V）時，N溝道管開始導(dǎo)通，形成漏極電流ID，我們把開始形成溝道時的柵-源極電壓稱為開啟電壓，一般用VT表示。

    channel變成了強(qiáng)反轉(zhuǎn)。Channel形成時的電壓被稱為閾值電壓Vt。當(dāng)GATE和BACKGATE之間的電壓差小于閾值電壓時，不會形成channel。當(dāng)電壓差超過閾值電壓時，channel就出現(xiàn)了。MOS電容:(A)未偏置(VBG=0V)，(B)反轉(zhuǎn)(VBG=3V)，(C)積累(VBG=-3V)。正是當(dāng)MOS電容的GATE相對于backgate是負(fù)電壓時的情況。電場反轉(zhuǎn)，往表面吸引空穴排斥電子。硅表層看上去更重的摻雜了，這個器件被認(rèn)為是處于accumulation狀態(tài)了。MOS電容的特性能被用來形成MOS管。Gate，電介質(zhì)和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區(qū)域。其中一個稱為source，另一個稱為drain。假設(shè)source和backgate都接地，drain接正電壓。只要GATE對BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓，就不會形成channel。Drain和backgate之間的PN結(jié)反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate。如果GATE電壓超過了閾值電壓，在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel。這個channel就像一薄層短接drain和source的N型硅。由電子組成的電流從source通過channel流到drain�？偟膩碚f，只有在gate對source電壓V超過閾值電壓Vt時，才會有drain電流。在對稱的MOS管中，對source和drain的標(biāo)注有一點(diǎn)任意性。定義上，載流子流出source。mos管在電路中一般用作電子開關(guān)。

    低壓mos管與高壓mos管的區(qū)別是什么？如何分類？一、MOS的構(gòu)造MOS管的構(gòu)造是在一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上，用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作為漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜，在再這個絕緣層膜上裝上一個鋁電極，作為柵極G。這就構(gòu)成了一個N溝道（NPN型）增強(qiáng)型MOS管。它的柵極和其它電極間是絕緣的。同樣用上述相同的方法在一塊摻雜濃度較低的N型半導(dǎo)體硅襯底上，用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個高摻雜濃度的P+區(qū)，及上述相同的柵極制作過程，就制成為一個P溝道（PNP型）增強(qiáng)型MOS管。圖1-1所示（a）、（b）分別是P溝道MOS管道結(jié)構(gòu)圖和符號。二、MOS管的分類MOSFET是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。MOS管的分類方法有多種分類方法：1、按電壓分類可分為中低壓mos管和高壓mos管2、按功率分類可分為大功率、率和小功率mos管3、可分為結(jié)型管和絕緣柵型(1)、結(jié)型管。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。北京貿(mào)易MOS管值得推薦

由于柵源之間寄生電容的存在，當(dāng)柵極的驅(qū)動電壓拉低時，MOS管并不會立即關(guān)斷。北京貿(mào)易MOS管值得推薦

    N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作漏極d和源極s。然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏一一源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極,作為柵極g。在襯底上也引出一個電極B，這就構(gòu)成了一個N溝道增強(qiáng)型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數(shù)管子在出廠前已連接好)。它的柵極與其它電極間是絕緣的。圖(a)、(b)分別是它的結(jié)構(gòu)示意圖和符號。符號中的箭頭方向表示由P(襯底)指向N(溝道)。P溝道增強(qiáng)型MOS管的箭頭方向與上述相反，如圖(c)所示。N溝道增強(qiáng)型MOS管的工作原理（1）vGS對iD及溝道的控制作用①vGS=0的情況從圖1(a)可以看出，增強(qiáng)型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個背靠背的PN結(jié)。當(dāng)柵一一源電壓vGS=0時，即使加上漏一一源電壓vDS，而且不論vDS的極性如何，總有一個PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，漏一一源極間沒有導(dǎo)電溝道，所以這時漏極電流iD≈0。②vGS>0的情況若vGS＞0，則柵極和襯底之間的SiO2絕緣層中便產(chǎn)生一個電場。電場方向垂直于半導(dǎo)體表面的由柵極指向襯底的電場。這個電場能排斥空穴而吸引電子。排斥空穴：使柵極附近的P型襯底中的空穴被排斥。北京貿(mào)易MOS管值得推薦

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