三端器件一 般是有源器件，典型**是各種晶體管（又稱晶體三極管）。晶體管又可以分為雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管兩 類。根據(jù)用途的不同，晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低噪聲晶體管。除了作為放大、振蕩、開(kāi)關(guān)用的 一般晶體管外，還有一些特殊用途的晶體管，如光晶體管、磁敏晶體管，場(chǎng)效應(yīng)傳感器等。這些器件既能把一些 環(huán)境因素的信息轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號(hào)。此外，還有一些特殊器件，如單結(jié)晶體管可用于產(chǎn)生鋸齒波，可控硅可用于各種大電流的控制電路，電荷耦合器件可用作攝橡器件或信息存 儲(chǔ)器件等。光電探測(cè)器：光電二極管、太陽(yáng)能電池?；萆絽^(qū)方便半導(dǎo)體器件推薦貨源

這偶極層阻止了空穴和電子的繼續(xù)擴(kuò)散而使PN結(jié)達(dá)到平衡狀態(tài)。當(dāng)PN結(jié)的P端（P型半導(dǎo)體那邊）接電源的正極而另一端接負(fù)極時(shí)，空穴和電子都向偶極層流動(dòng)而使偶極層變薄，電流很快上升。如果把電源的方向反過(guò)來(lái)接，則空穴和電子都背離偶極層流動(dòng)而使偶極層變厚，同時(shí)電流被限制在一個(gè)很小的飽和值內(nèi)(稱反向飽和電流)。因此，PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴４送?，PN結(jié)的偶極層還起一個(gè)電容的作用，這電容隨著外加電壓的變化而變化。在偶極層內(nèi)部電場(chǎng)很強(qiáng)。濱湖區(qū)本地半導(dǎo)體器件供應(yīng)商P型（空穴多）與N型（電子多）半導(dǎo)體結(jié)合處形成內(nèi)建電場(chǎng)，正向偏置時(shí)導(dǎo)通，反向偏置時(shí)截止，實(shí)現(xiàn)整流。

半導(dǎo)體中電子吸收較高能量的光子而被激發(fā)成為熱電子，有可能克服晶格場(chǎng)的束縛逸出體外成為自由電子，這又稱光電子發(fā)射效應(yīng)。圖2是一個(gè)具有理想表面的半導(dǎo)體的能帶圖，EC、EV分別表示導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂，E0為體外真空能級(jí)，x為電子親和勢(shì) (表示導(dǎo)帶底的電子逸出體外所需克服的晶體束縛能），EF為費(fèi)米能級(jí)位置，φ為逸出功，ET=x+EV為光電子發(fā)射閾能。半導(dǎo)體表面對(duì)環(huán)境氣氛和接觸材料很敏感。表面層對(duì)外來(lái)電荷（正的或負(fù)的電荷）的吸附引起表面能帶的彎曲（向上或向下），劇烈地影響半導(dǎo)體中光電子發(fā)射的特性。圖3中的墹E表示表面能帶向下彎曲的勢(shì)能，實(shí)際有效電子親和勢(shì)xeff=x-墹E。如果墹E>x，則xeff就成為負(fù)值。負(fù)電子親和勢(shì)(NEA)材料（如GaAs、InGaAsP與Cs2O的接觸）的光電子發(fā)射的量子產(chǎn)額相當(dāng)可觀，是發(fā)展半導(dǎo)體光陰極的重要基礎(chǔ) [1]。

第五部分： 用字母表示同一型號(hào)的改進(jìn)型產(chǎn)品標(biāo)志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號(hào)產(chǎn)品的改進(jìn)產(chǎn)品。美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法美國(guó)晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下：***部分：用符號(hào)表示器件用途的類型。JAN-軍級(jí)、JANTX-特軍級(jí)、JANTXV-超特軍級(jí)、JANS-宇航級(jí)、（無(wú)）-非***品。第二部分：用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。1-二極管、2=三極管、3-三個(gè)pn結(jié)器件、n-n個(gè)pn結(jié)器件。隨著科技的發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)也在不斷進(jìn)步，推動(dòng)著電子行業(yè)的創(chuàng)新與發(fā)展。

在MOS器件的基礎(chǔ)上,又發(fā)展出一種電荷耦合器件 (CCD)，它是以半導(dǎo)體表面附近存儲(chǔ)的電荷作為信息，控制表面附近的勢(shì)阱使電荷在表面附近向某一方向轉(zhuǎn)移。這種器件通?？梢杂米餮舆t線和存儲(chǔ)器等；配上光電二極管列陣，可用作攝像管。中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分）組成。五個(gè)部分意義如下：***部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管發(fā)光器件：LED、激光二極管（LD）。南京應(yīng)用半導(dǎo)體器件推薦貨源

處理連續(xù)信號(hào)（如音頻、電壓），如運(yùn)算放大器、數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）?；萆絽^(qū)方便半導(dǎo)體器件推薦貨源

特殊二極管：微波二極管、變?nèi)荻O管、雪崩二極管、發(fā)光二極管（LED）、光電二極管（太陽(yáng)能電池**）。晶體管：通過(guò)基極電流控制集電極電流，實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大或開(kāi)關(guān)作用。雙極型晶體管（BJT）：分為NPN和PNP型，用于高頻放大、低頻功率驅(qū)動(dòng)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）：包括結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），具有高輸入阻抗、低噪聲特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于功率放大和開(kāi)關(guān)電路。晶閘管：可控硅（SCR）及其變種（如雙向晶閘管TRIAC），用于高功率控制，如交流電調(diào)光、電機(jī)調(diào)速?；萆絽^(qū)方便半導(dǎo)體器件推薦貨源

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