半導(dǎo)體光電器件是基于半導(dǎo)體材料光電效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)光信號(hào)與電信號(hào)相互轉(zhuǎn)換的電子器件 [4]。主要包括發(fā)光器件（如發(fā)光二極管、半導(dǎo)體激光器）和光探測(cè)器件（如光電二極管、光電晶體管）等類型 [1]。其**原理是光生伏***應(yīng)與電致發(fā)光效應(yīng) [3]。隨著氮化鎵、氧化鎵等新材料的發(fā)展，半導(dǎo)體光電器件的發(fā)光與探測(cè)范圍已從紅外延伸至紫外波段 [2]。這類器件是光通信、顯示、傳感等信息技術(shù)領(lǐng)域的**光源與探測(cè)元件 [3] [6]，并向更長(zhǎng)/更短波長(zhǎng)、更大功率、更高頻率方向發(fā)展 [3]。常見的有雙極型晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）?；萆絽^(qū)常見的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商家

本章***節(jié)曾介紹過半導(dǎo)體材料的光敏特性，即當(dāng)半導(dǎo)體材料受到一定波長(zhǎng)光線的照射時(shí)，其電阻率明顯減小，或說電導(dǎo)率增大的特性。這個(gè)現(xiàn)象也叫半導(dǎo)體的光電導(dǎo)特性。利用這個(gè)特性制作的半導(dǎo)體器件叫光電導(dǎo)器件。半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率是由載流子濃度決定的。載流子就是由半導(dǎo)體原子逃逸出來的電子及其留下的空位----- 空穴。電子從原子中逃逸出來，必須克服原子的束縛而做功，而光照正是向電子提供能量，使它有能力逃逸出來的一種形式。因此，光照可以改變載流子的濃度，從而改變半導(dǎo)體的電導(dǎo)率?；萆絽^(qū)常用半導(dǎo)體器件銷售價(jià)格特殊二極管：微波二極管、變?nèi)荻O管、雪崩二極管、發(fā)光二極管（LED）、光電二極管（太陽能電池）。

在通信和雷達(dá)等***裝備中，主要靠高靈敏度、低噪聲的半導(dǎo)體接收器件接收微弱信號(hào)。隨著微波 通信技術(shù)的迅速發(fā)展，微波半導(dǎo)件低噪聲器件發(fā)展很快，工作頻率不斷提高，而噪聲系數(shù)不斷下降。微波半導(dǎo)體 器件由于性能優(yōu)異、體積小、重量輕和功耗低等特性，在防空反導(dǎo)、電子戰(zhàn)等系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用 。晶體二極管晶體二極管的基本結(jié)構(gòu)是由一塊 P型半導(dǎo)體和一塊N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起形成一個(gè) PN結(jié)。在PN結(jié)的交界面處，由于P型半導(dǎo)體中的空穴和N型半導(dǎo)體中的電子要相互向?qū)Ψ綌U(kuò)散而形成一個(gè)具有空間電荷的偶極層。

三端器件一 般是有源器件，典型**是各種晶體管（又稱晶體三極管）。晶體管又可以分為雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管兩 類。根據(jù)用途的不同，晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低噪聲晶體管。除了作為放大、振蕩、開關(guān)用的 一般晶體管外，還有一些特殊用途的晶體管，如光晶體管、磁敏晶體管，場(chǎng)效應(yīng)傳感器等。這些器件既能把一些 環(huán)境因素的信息轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號(hào)。此外，還有一些特殊器件，如單結(jié)晶體管可用于產(chǎn)生鋸齒波，可控硅可用于各種大電流的控制電路，電荷耦合器件可用作攝橡器件或信息存 儲(chǔ)器件等。雙極型晶體管（BJT）：分為NPN和PNP型，用于高頻放大、低頻功率驅(qū)動(dòng)。

硅光電池的用途極度為***。主要用于下述幾個(gè)方面：能源----硅光電池串聯(lián)或并聯(lián)組成電池組與鎳鎘電池配合、可作為人造成衛(wèi)星、宇宙飛船、航標(biāo)燈、無人氣象站等設(shè)備的電源；也可做電子手表、電子計(jì)算器、小型號(hào)汽車、游艇等的電源。光電檢測(cè)器件----用作近紅外探測(cè)器、光電讀出、光電耦合、激光準(zhǔn)直、電影還音等設(shè)備的光感受器。光電控制器件----用作光電開關(guān)等光電控制設(shè)備的轉(zhuǎn)換器件。半導(dǎo)體發(fā)光器件是一種將電能轉(zhuǎn)換成光能的器件。它包括發(fā)光二極管、紅外光源、半導(dǎo)體發(fā)光數(shù)字管等。如光二極管、激光二極管等，能夠?qū)⒐庑盘?hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，或反之。江陰推廣半導(dǎo)體器件供應(yīng)商

圖像傳感器：CMOS傳感器（手機(jī)攝像頭）、電荷耦合器件（CCD）?；萆絽^(qū)常見的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商家

原理簡(jiǎn)介早在19世紀(jì)末就已經(jīng)開始研究半導(dǎo)體硒中的光電現(xiàn)象，后來硒光電池得到應(yīng)用，這幾乎比晶體管的發(fā)明早80年，但當(dāng)時(shí)人們對(duì)半導(dǎo)體還缺乏了解，進(jìn)展緩慢。30年代開始的對(duì)半導(dǎo)體基本物理特性（如能帶結(jié)構(gòu)、電子躍遷過程等）的研究，特別是對(duì)半導(dǎo)體光學(xué)性質(zhì)的研究為半導(dǎo)體光電子器件的發(fā)展奠定了物理基礎(chǔ) [1]。1962年，R.N.霍耳和M.I.內(nèi)森研制成功注入型半導(dǎo)體激光器，解決了高效率的光信息載波源，擴(kuò)展了光電子學(xué)的應(yīng)用范圍，光電子器件因而得到迅速發(fā)展 [2]?；萆絽^(qū)常見的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商家

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