集成電路（integrated circuit）是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)；其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步。它在電路中用字母“IC”表示。集成電路發(fā)明者為杰克·基爾比（基于鍺（Ge）的集成電路）和羅伯特·諾伊斯（基于硅（Si）的集成電路）。當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的是基于硅的集成電路。 [6]集成電路的出現(xiàn)極大地推動了電子技術(shù)的發(fā)展，使得電子設(shè)備更加小型化、功能更強大、成本更低。杜集區(qū)質(zhì)量集成電路銷售方法

1979年：Intel推出5MHz 8088微處理器，之后，IBM基于8088推出全球***臺PC1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM問世1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM1985年：80386微處理器問世，20MHz1988年：16M DRAM問世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500萬個晶體管，標志著進入超大規(guī)模集成電路（VLSI）階段1989年：1Mb DRAM進入市場1989年：486微處理器推出，25MHz，1μm工藝，后來50MHz芯片采用0.8μm工藝1992年：64M位隨機存儲器問世1993年：66MHz奔騰處理器推出，采用0.6μm工藝1995年：Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μm工藝；1997年：300MHz奔騰Ⅱ問世，采用0.25μm工藝馬鞍山現(xiàn)代集成電路貨源充足綠色低碳：超大規(guī)模智算集群與綠色電力深度融合，重塑數(shù)字經(jīng)濟的能源底座。

11、DSO（dual small out-lint）雙側(cè)引腳小外形封裝。SOP的別稱（見SOP）。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱。12、DICP（dual tape carrier package）雙側(cè)引腳帶載封裝。TCP（帶載封裝）之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側(cè)引出。由于利用的是TAB（自動帶載焊接）技術(shù)，封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅(qū)動LSI，但多數(shù)為定制品。另外，0.5mm厚的存儲器LSI簿形封裝正處于開發(fā)階段。在日本，按照EIAJ（日本電子機械工業(yè)）會標準規(guī)定，將DICP命名為DTP。

集成電路或稱微電路（microcircuit）、微芯片（microchip）、芯片（chip）在電子學(xué)中是一種把電路（主要包括半導(dǎo)體裝置，也包括被動元件等）小型化的方式，并通常制造在半導(dǎo)體晶圓表面上。前述將電路制造在半導(dǎo)體芯片表面上的集成電路又稱薄膜（thin-film）集成電路。另有一種厚膜（thick-film）混成集成電路（hybrid integrated circuit）是由**半導(dǎo)體設(shè)備和被動元件，集成到襯底或線路板所構(gòu)成的小型化電路。本文是關(guān)于單片（monolithic）集成電路，即薄膜集成電路。智能化與AI融合：AI技術(shù)深度融入芯片設(shè)計、制造、封測全流程，推動技術(shù)創(chuàng)新和降本增效。

37、piggy back馱載封裝。指配有插座的陶瓷封裝，形關(guān)與DIP、QFP、QFN相似。在開發(fā)帶有微機的設(shè)備時用于評價程序確認操作。例如，將EPROM插入插座進行調(diào)試。這種封裝基本上都是定制品，市場上不怎么流通。38、PLCC（plastic leaded chip carrier）帶引線的塑料芯片載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝的四個側(cè)面引出，呈丁字形，是塑料制品。美國德克薩斯儀器公司首先在64k位DRAM和256kDRAM中采用，90年代已經(jīng)普及用于邏輯LSI、DLD（或程邏輯器件電路。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從18到84。能家居、智慧城市、農(nóng)業(yè)和環(huán)境監(jiān)測等領(lǐng)域依賴傳感器、嵌入式系統(tǒng)和通信芯片實現(xiàn)設(shè)備互聯(lián)。安慶使用集成電路銷售廠家

集成電路的制造過程通常包括晶圓制造、摻雜、光刻、刻蝕、金屬化等多個步驟。杜集區(qū)質(zhì)量集成電路銷售方法

日本將引腳中心距小于0.65mm的QFP稱為QFP（FP）。但2000年后日本電子機械工業(yè)會對QFP的外形規(guī)格進行了重新評價。在引腳中心距上不加區(qū)別，而是根據(jù)封裝本體厚度分為QFP（2.0mm～3.6mm厚）、LQFP（1.4mm厚）和TQFP（1.0mm厚）三種。另外，有的LSI廠家把引腳中心距為0.5mm的QFP專門稱為收縮型QFP或SQFP、VQFP。但有的廠家把引腳中心距為0.65mm及0.4mm的QFP也稱為SQFP，至使名稱稍有一些混亂。QFP的缺點是，當(dāng)引腳中心距小于0.65mm時，引腳容易彎曲。為了防止引腳變形，現(xiàn)已出現(xiàn)了幾種改進的QFP品種。如封裝的四個角帶有樹指緩沖墊的BQFP（見BQFP）；帶樹脂保護環(huán)覆蓋引腳前端的GQFP（見GQFP）；在封裝本體里設(shè)置測試凸點、放在防止引腳變形的**夾具里就可進行測試的TPQFP（見TPQFP）。在邏輯LSI方面，不少開發(fā)品和高可靠品都封裝在多層陶瓷QFP里。引腳中心距**小為0.4mm、引腳數(shù)**多為348的產(chǎn)品也已問世。此外，也有用玻璃密封的陶瓷QFP（見Gerqa d）。杜集區(qū)質(zhì)量集成電路銷售方法

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